메모리 장치(Memory Device)

I. 반도체 기억장치, 메모리 장치의 개요

가. 메모리 장치(Memory Device)의 정의

   - 컴퓨터에서 사용하는 프로그램이나 데이터를 저장하기 위해 사용되는 임시적 또는 영구적 저장 기능 수행 장치

나. 메모리 장치의 특징

   - 메모리 계층구조, 휘발성 메모리, 비휘발성 메모리

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II. 메모리 장치의 분류

가. 휘발성 메모리(Volatile Memory)의 종류별 특성

종류	설명
DRAM	- 초고속 데이터 전송용 메모리로서 기억 밀도가 높고 가격이 저렴 - 저장 내용을 주기적으로 재생하지 않으며 사라지는 약점 존재
SRAM	- 플리플롭 방식의 메모리 셀을 가진 임의 접근 기억장치 - 전원공급이 계속되는 한 저장된 내용을 계속 기억 - 재생이 불필요해서 용량의 메모리가 캐시 메모리에 주로 사용 - DRAM에 비해 고가
SDRAM	- 클럭 속도가 CPU와 동기화 되어있는 DRAM의 다양한 종류를 모두 의미

나. 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory)의 종류별 특징

종류	설명
Masked ROM	- 특정 내용을 생산 공장에서부터 ROM에 기억시켜 출하 하는 것으로 사용자가 임의적으로 기억시킬 수 없음 - 메모리 중 비트당 단가가 가장 저렴
PROM	- Programmable, Non-Erasable - 생산 공장 출하 시 기억된 것이 아무 것도 없으며, PROM Writer를 사용하여 사용자가 한번 기억이 가능
EPROM	- Erasable, Programmable - 자외선을 사용하여 기억된 내용을 임의적으로 소거시킨 후 전기적인 방법으로 다시 기억시킬 수 있음
EEPROM	- Electrically Erasable - 전기적 방법으로 정보를 소거, 저장 연속 진행
Flash Memory	- 기존 EPROM과 EEPROM의 변형으로 블록 단위로 고속 수정이 가능
MRAM	- 자기저항을 이용한 비휘발성 고체 메모리, 속도가 빠르고 낮은 전력 소모
FeRAM	- 강유전체를 이용한 비휘발성 메모리, 플래시 메모리에 비해 낮은 전력 소모
STT-MRAM	- D램과 낸드플래시의 특성을 모두 가지고 있어 전력이 끊겨도 데이터가 사라지지 않는 차세대 메모리
PRAM	- 플래시 메모리의 비휘발성과 RAM의 빠른 속도의 장점을 모두 갖는 차세대 메모리 반도체